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簡(jiǎn)介真空電鍍?cè)O(shè)備常見的真空鍍膜法

    真空電鍍?cè)O(shè)備是用于一類需要在真空下鍍膜的設(shè)備,鍍膜的方法稱為真空鍍膜法。真空鍍膜法指的是在真空中將金屬、合金或化合物進(jìn)行蒸發(fā)(或?yàn)R射),使它們沉積在基片表面的方法。在材料表面鍍上一層薄膜,可以是材料獲得一些新的化學(xué)或物理特性。真空鍍膜法是一種新的鍍膜工藝,也稱干式鍍膜法,相比濕式鍍膜法,其具有一下特點(diǎn):

CCZK-SF磁控濺射鍍膜設(shè)備

CCZK-SF磁控濺射鍍膜設(shè)備

 

    1、膜層不易受到污染,獲得的鍍層致密性好、純度高。

    2、膜材和基材的選擇范圍廣,膜厚可控制,用不同的真空電鍍?cè)O(shè)備可制備不同功能的薄膜。

    3、膜層與基片的附著力強(qiáng),牢固。

    4、不產(chǎn)生廢液,不會(huì)造成環(huán)境污染。

真空鍍膜的優(yōu)勢(shì)
    常見的鍍膜方法有真空蒸鍍、濺射鍍、離子鍍等。這三種鍍膜方法各有其優(yōu)缺點(diǎn),其中離子鍍適用最廣,其特點(diǎn)是:可鍍物質(zhì)包括金屬、合金、化合物等,膜材蒸發(fā)方式有蒸鍍和濺射,膜層附著強(qiáng)度好,鍍的薄膜密度高、均勻,能鍍所有表面。


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