隨著科技的發(fā)展，使用磁控濺射鍍膜設(shè)備對顆粒狀物體鍍膜已經(jīng)不再是一件難事。特別是在顆粒狀金屬物體表面使用鍍膜技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟。這是應(yīng)為顆粒物體表面積能都比較大，其之間能夠容易進(jìn)行團(tuán)聚，曲率半徑卻是小的，因此在顆粒狀物體表面上使用磁控雖然可行，但是其難度系數(shù)也是非常大的。
CCZK-SF磁控濺射鍍膜設(shè)備
國外在顆粒表面使用鍍膜技術(shù)基本上是采用無極化學(xué)鍍，這種技術(shù)相對來講是比較成熟的，但是所鍍出來的膜質(zhì)量較差，差在哪里呢？其薄膜福海均勻性達(dá)不到要求，且表面居多裂痕，附著力比較差，且鍍液對環(huán)境造成的影響是非常的大的。
而我國采用的微顆粒磁控濺射鍍膜設(shè)備。主要由真空室、陰極靶、樣品架、樣品皿、加熱器、真空抽氣裝置、氬氣通氣口、放氣閥、密封圈、振動發(fā)生器等組成. 本設(shè)備是在普通直流磁控濺射鍍膜設(shè)備的基礎(chǔ)上，增加了一個超聲波振動發(fā)生器，濺射鍍膜時(shí)，通過調(diào)節(jié)樣品架的擺動頻率和超聲波的振動功率，使每個微顆粒都能維持一個良好的分散狀態(tài)和較好的流動性，使每個微顆粒都有機(jī)會充分地暴露其表面，并通過調(diào)節(jié)真空室內(nèi)的工作氣壓、濺射功率、溫度和濺射時(shí)間等工藝條件，就可以在微顆粒表面沉積上金屬薄膜。
使用這種設(shè)備對微顆粒進(jìn)行磁控濺射鍍膜的好處就是能夠使得每個微顆粒的表面都能夠等概率的暴露。從而使得每個表面都能夠堵上均勻，致密，附著力好，無裂痕的薄膜。
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